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近来，基建Sb2Se3太阳电池在材料及器件制备方面获得了较大的进展，获得了7.6%的光电转换效率，但仍具有很大的发展空间。河北大学李志强博士、部开变电博士生梁晓杨、硕士生李刚为该文共同第一作者，河北大学李志强博士和暨南大学麦耀华教授为共同通讯作者。

【成果简介】该研究中，展输研究人员应用近空间升华技术（CloseSpacedSublimation），展输在镀钼（Mo）的玻璃衬底上制备出具有一维纳米棒阵列结构的Sb2Se3吸收层材料，Sb2Se3纳米棒具有[001]方向的择优取向。河北大学物理科学与技术学院/暨南大学新能源技术研究院提出并制备了一种全新的纳米棒阵列结构Sb2Se3吸收层材料，维设计将Sb2Se3太阳电池的光电转换效率提升至9.2%，维设计为该类型电池已报导的最高转换效率。【前言】硒化锑和硫化锑等无机V2-VI3族化合物半导体材料展现了巨大的光伏应用潜力，国网工程工作其中，国网工程工作硒化锑（Sb2Se3）具有1）单一物相结构，2）合适的光学带隙（1.1-1.3eV），3）高吸光系数，4）低毒性，5）高元素丰度等优良特性，被证明是一种优异的吸光层材料。

制备完成的太阳电池获得了较高的填充因子（70.3%）和短路电流密度（32.58mA/cm2），基建以及9.2%的全面积（0.26 cm2）光电转换效率。此外，部开变电将该纳米棒阵列结构的Sb2Se3太阳电池存放于空气中，500个小时内仍能保证97%的初始光电转换效率，显示了良好的稳定性。

   此外，展输研究发现，展输在化学水浴法沉积硫化镉缓冲层过程中，碱性的溶液会溶解Sb2Se3，导致锑扩散进硫化镉层中并在Sb2Se3与硫化镉（CdS）界面处引入缺陷，不利于制备高质量的Sb2Se3/ CdS异质结。

理论计算及实验结果均证实，维设计[001]结晶取向具有较长的载流子扩散长度（约1.7μm），维设计而具有[221]择优取向的Sb2Se3薄膜仅为0.3μm，扩散长度的增加有利于光生载流子的抽取。艾蒙蕾诗与用户之间不仅仅是条文契约，国网工程工作更是一种人与人之间的信任和关怀。

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